ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 2015/12
形態種別 その他
標題 Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantaion in Si(001) substrate
執筆形態 共著
掲載誌名 第16回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 予稿集
掲載区分国内
著者・共著者 Y. Hoshino, G. Yachida, K. Inoue, T. Toyohara, J. Nakata