ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発表年月日 2017/12
発表テーマ パタン化されたSOI構造形成に向けた電子衝突蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討
発表学会名 第36回法政大学イオンビーム研究所シンポジウム
主催者 法政大学イオンビーム工学研究所 協賛:日本物理学会、応用物理学会
学会区分 研究会・シンポジウム等
発表形式 ポスター
単独共同区分 共同
開催地名 法政大学
発表者・共同発表者 井上 航大、谷地田 剛介、星野 靖、斎藤 保直、中田 穣治