ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発表年月日 2005/12
発表テーマ Atomic and Electronic Structures of Ni Deposited on Si(111) at room temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi2(111)/ Si(111)
発表学会名 5th International. Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices
学会区分 国際学会
発表形式 ポスター
単独共同区分 共同
開催地名 Hawaii, USA
発表者・共同発表者 T. Nishimura, J. Takeda, Y. Asami, Y. Hoshino, Y. Kido