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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2011/03 |
| 発表テーマ | 単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討：歪みSi層の緩和メカニズム |
| 発表学会名 | 応用物理学会 学術講演会 [神奈川工科大学] 講演番号：26aKD-12 |
| 学会区分 | 全国学会 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 神奈川工科大学 |
| 発表者・共同発表者 | 武樋樹里亜、田邊奨、有馬広記、星野靖、中田穣治、水野智久 |
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