(最終更新日:2018-05-11 16:17:41)
  ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   助教
■ 学会発表
1. 2018/02/09 イオン散乱による薄膜・表面の深さ方向定量分析(平成 29 年度関西支部セミナー ~イオンビームによる物性研究の新展開~)
2. 2017/12 CTプローブを用いた単一SiC微結晶のSTM発光分光のための試料作製(第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)
3. 2017/12 n型ダイヤモンド半導体基板におけるオーミック電極構造の簡略化(第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)
4. 2017/12 SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成(第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)
5. 2017/12 Si基板上に形成されたパタンSiO2膜をマスクにした酸素イオン注入(第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)
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■ 著書・論文歴
1. 論文  The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments (submitted) (共著) 
2. 論文  Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions (共著) 2018/03
3. 論文  Advanced Experimental Physics in Kanagawa University (単著) 2017/08
4. 論文  Epitaxial Growth of Si on Hydrogen-Terminated Si(001) Surfaces Induced by Ion Beam irradiation at 300oC (共著) 2017/07
5. 論文  Novel SOI Structure Formation Using MeV Ion Beam Irradiation
- Study of Amorphous Si Layer Deposition Using EB Evaporating Method in The UHV Environment - (共著) 2017/07
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■ 職歴
1. 2013/04~2013/09 神奈川大学理学部総合理学研究所 客員研究員
2. 2007/04~2008/03 立命館大学 総合理工学研究機構 ポストドクトラルフェロー研究員
3. 2005/11~2007/03 パリ第6,7大学 パリナノサイエンス研究所 研究員
4. 2004/04~2005/09 立命館大学 理工学部(兼任) 非常勤講師
5. 2004/04~2007/03 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 日本学術振興会 特別研究員(PD)
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■ 資格・免許
1. 1999/03 第一種 理科教員免許
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2013/04~  イオンビーム照射による薄膜・ナノ構造形成、原子輸送現象の科学 個人研究 
2. 2013/04~  イオンビーム照射による半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド、シリコン等)の高機能化の研究 個人研究 
3. 2008/04~2012/03  カイラリティー制御単層カーボンナノチューブの形成と物性評価 個人研究 
4. 2005/11~2008/03  同位体共鳴核反応法を用いた高分解能深さプロファイリング分析 個人研究 
5. 2001/04~2008/03  シリコンカーバイドの表面構造と表面電子物性の研究 個人研究 
■ 講師・講演
1. 2013/11 福島第一原発事故により飛散した放射性物質の調査
2. 2012/03 Analysis of SiC surfaces by ion scattering and photoelectron
■ 委員会・協会等
1. 2018/04~2019/03 日本物理学会 領域1 放射線分科 運営委員
2. 2017/03 応用物理学会 春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 実行委員
3. 2013/12 応用物理学会薄膜表面分科会主催 第14回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 (神奈川大学) 実行委員
4. 2002/03 日本物理学会 年会 (立命館大学) 実行委員
■ ホームページ
   https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/
■ メールアドレス
  kyoin_mail
■ 現在の専門分野
ナノ構造科学, 量子ビーム科学, 表面・界面の科学, 半導体物性 (キーワード:原子輸送現象の科学) 
■ 提供可能な資源
MeV級ペレトロンイオン加速器(各種イオンビーム分析、MeV級イオンビーム照射)
200 kV 中電流型イオン注入加速器(イオン注入、イオンビーム照射 @-196 ~ 1000℃)
■ 共同研究希望テーマ
1. イオンビーム照射による物質の改質と高機能化の研究
2. 低~高温イオン注入によるワイドギャップ半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド等)の高機能化の研究
3. 機能性ナノ構造形成と物性評価
4. 高エネルギーイオンビームを用いた構造分析