(最終更新日:2017-11-06 12:51:36)
  ミズノ トモヒサ   Mizuno Tomohisa
  水野 智久
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   教授
■ 学会発表
1. 2017/09/21 Hot-C+-Ion Implantation Optimization for Forming Nano-SiC Region at Surface (100)SOI Substrate(SSDM)
2. 2017/09/21 SiC Nano-Dots in Bulk-Si SubstrateFabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique(SSDM)
3. 2017/09/06 (100)SOI基板表層でのナノ構造SiC形成用ホットC+イオン注入法の最適化(2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会)
4. 2017/09/06 バルク Si 基板へのホット C+イオン注入法による SiC ナノドットの形成(2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会)
5. 2017/03/17 Cホットイオン注入法を用いた  Si1-yCy層の構造解析(Ⅰ)(第64回応用物理学会春季学術講演会)
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■ 著書・論文歴
1. 論文  Experimental Study of Single Source-Heterojunction MOS Transistors (SHOTs) for Quasi-Ballistic Regime: Optimization of Source-Hetero Structures and Electron Velocity Characteristics at Low Temperature (共著) 2011/01
2. 論文  Hot-C+-Ion Implantation Optimization for Forming Nano-SiC Region at Surface (100)SOI Substrate (共著) 2017/09
3. 論文  SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique (共著) 2017/09
4. 論文  Material structure of two-/three-dimensional Si-C layers
fabricated by hot-C+-ion implantation into Si-on-insulator substrate (共著) 2017/03
5. 論文  Novel Band Structure Modulations in Two/Three-Dimensional Silicon Carbon Alloys (共著) 2016/09
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■ 学歴
1. 1981/04~1982/10 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻 博士課程中退
2. 1979/04~1981/03 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻 修士課程修了 修士
3. 1991/06
(学位取得)
名古屋大学 工学博士
4. 1974/04~1979/03 名古屋大学 理学部 物理学科 卒業
■ 職歴
1. 2008/07~2013/03 産業技術総合研究所 客員研究員
2. 2004/04~2008/03 産業技術総合研究所 客員研究員
3. 1999/04~2008/03 放送大学 兼任(非常勤)講師
■ 所属学会
1. 2004/12~ 米国物理学会
2. 1987~ 日本物理学会
3. 1986~ IEEE
4. 1983~ 日本応用物理学会
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2017/04~2020/03  炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究 基盤研究(C) 
2. 2004/04~  新機能半導体基板の開発と,ナノ領域での半導体素子の研究/開発及びその電子輸送現象の解明 国内共同研究 
■ ホームページ
   http://www.info.kanagawa-u.ac.jp/~mizuno/index.html
■ メールアドレス
  kyoin_mail
■ 受賞学術賞
1. 2014/09 SSDM Award
2. 2004/12 IEEE Electron Devices Society George Smith Award
3. 2004/02 IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award受賞(ひずみSOI技術に対して)
4. 2004/03 MIRAIプロジェクト優秀賞受賞(ひずみSOI素子の移動度決定に対して)
5. 2003/04 MIRAIプロジェクト最優秀賞受賞(ひずみSOIのCMOS回路実証に対して)
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■ 現在の専門分野
半導体物理・工学, ナノテクノロジー 
■ 取得特許
1. 2003/06/24 半導体装置及びその製造方法(6583437)
2. 2003/04/18 電界効果トランジスタ及びこれを用いた集積化論理回路(第3420168号)
3. 2003/01/21 半導体装置及びその製造方法(6509587)
4. 2002/12/06 半導体装置(第3378414号)
5. 2002/11/12 半導体装置(第3372110号)
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■ 研究経歴
1. 1986
1989
世界最初の1MビットCMOS-DRAM開発。当時、世界最初の1MビットCMOS-DRAM開発を東芝で行い,東芝社長表彰を受賞"
2. 1991
1996
新構造半導体素子開発。チャネル領域の不純物層を浅くする新構造素子を開発し,チャネルに垂直電界が緩和することにより,キャリア速度が上昇することを実証しました.これにより,日経BP技術賞電子部門賞を受賞"
3. 1998
半導体格子定数変調技術を用いたひずみSOI素子の開発。
4. 2004
2008
ソースへテロ構造による高速度キャリア注入現象を用いた高速CMOSの研究
5. 2008
2011
イオン注入法を用いた歪/緩和半導体へテロ構造の研究
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■ 共同研究希望テーマ
1. 半導体基板/素子