(最終更新日:2017-08-18 11:28:06)
  ナカタ ジョウジ   Nakata Jyoji
  中田 穣治
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   教授
■ 学会発表
1. 2015/03 Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成(応用物理学会)
2. 2015/03 真空一貫プロセスによる CNT 成長 用 Co ナノ粒子形成法の研究(応用物理学会)
3. 2014/09 Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価(応用物理学会)
4. 2012/03 マイクロ波プラズマによるイオン注入形成クラスターからの低温成長(応用物理学会)
5. 2011/09 「SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究」(日本物理学会)
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■ 著書・論文歴
1. 著書  半導体用語辞典 (共著) 1999/03
2. 論文  Epitaxial Growth of Si on Hydrogen-Terminated Si(001) Surfaces Induced by Ion Beam Irradiation at 300°C (共著) 2017/07
3. 論文  MeV級イオン照射による新しいSOI構造形成法の研究
---超高真空中における電子衝撃(EB)加熱型蒸着法による非晶質Si層形成の検討--- (共著) 2017/07
4. 論文  FABRICATION OF THE OPTICAL SYSTEM FOR CL AND PL MEASUREMENT USING CT PROBE WITH HIGH-SPACIAL RESOLUTION (共著) 2017/01
5. 論文  INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH
DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT
ONTO THE Si (100) SUBSTRATE (共著) 2017/01
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■ 学歴
1. 1990/02/22
(学位取得)
東京大学 理学博士
2. 1974/04~1976/03 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程 修士課程修了 理学修士
3. 1970/04~1974/03 東京大学 理学部 物理学科 卒業 理学学士
■ 職歴
1. 2012/04~2014/03 神奈川大学 理学部 数理・物理学科 学科主任
2. 2003/04~2015/03 神奈川大学 理学研究科 (兼担)教授 情報科学専攻 専攻主任
3. 2001/04~2002/03 独立行政法人産業技術総合研究所 客員研究員
4. 1999/06~2001/03 通産省電子技術総合研究所 客員研究員
5. 1996/07~1999/03 日本電信電話株式会社 基礎研究所先端デバイス研究部
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■ 教育上の能力
●教育方法の実践例
1. 2013/08~ 中高教員免許状更新講習会で物理学学生実験、を紹介し、中高の先生方の模擬講義を指導した。
2. 2013/03~ 指定校推薦の学生を送り込んでいる高等学校に対する訪問
3. 2012/06~ 神奈川新聞主催 実験型授業を湘南地区の高校を中心に行った。
4. 2012/04~ 新しい数理・物理学科におけるFYS教育の体系化
5. 2009/07/01~2011/08/31 神奈川県主催大学セミナーへ理学部代表で物理学学生実験の展示
●作成した教科書、教材
●その他教育活動上特記すべき事項
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■ 所属学会
1. 2004/04~ 日本加速器学会
2. 2001/10~ 放射線安全管理学会
3. 1999/04~ ニューダイヤモンドフォーラム
4. 1994/04~ 米国物理学会
5. 1990/04~ 日本アイソトープ協会
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■ 資格・免許
1. 1978/11 第一種放射線取扱主任者免状(登録番号第8279号)取得
2. 1976/03 教員免許状 高等学校教諭一級理科(昭51高一普1290号)取得
■ 社会における活動
1. 2005/01 神奈川新聞から神奈川大学中田研究室における研究内容について取材を受ける
2. 2003/10~2011/10 東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの移設完了
3. 2003/05~2011/10 東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの一部移設
4. 2000/02 横浜パシフィコにおける、横浜テクニカルショウにおいて神奈川大学・理学部から「ダイヤモンド半導体」を展示。
5. 1998/12 日本アイソトープ協会からNTT厚木研究開発センタでの放射線関連研究施設の取材を受ける
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■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2008/11~2009/03  電子ビーム露光装置を利用したカイラリティー制御カーボンナノチューブ形成法の研究 国内共同研究 (キーワード:カーボンナノチューブ、電子ビーム露光装置)
■ 講師・講演
1. 1992/09 高エネルギーイオンビームによる低温単結晶化(立命館大学 衣笠キャンパス)
2. 1992/09 高エネルギー重イオン照射による非晶質Siの低温単結晶化及び非晶質化のメカニズム(明治大学 生田キャンパス)
3. 1990/07 『高エネルギー重イオン照射による非晶質Siの低温単結晶化の研究』(東京大学)
■ 委員会・協会等
1. 2015/04/01~ 萬谷記念かながわ奨学基金 選考委員 選考委員
2. 1999/04~ 学協会「ニューダイヤモンドフォーラム」 会員
3. 1998/07~1999/06 法令検討委員会 委員
4. 1996/06~1998/06 主任者部会本部運営委員会 委員
5. 1996/06~1998/06 法令検討委員会 委員長
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■ ホームページ
   http://www0.info.kanagawa-u.ac.jp/~jyojin
■ 受賞学術賞
1. 1989/10 NTT社長表彰 [産業用超電導小型電子蓄積リング(小型SOR)開発]
2. 1989/10 研究開発本部長 報道特別賞 [同上]
■ 現在の専門分野
ナノサイエンス、半導体物理学, イオンビーム科学、加速器科学 (キーワード:ダイヤモンド半導体、シリコン半導体、ナノカーボン材料) 
■ 取得特許
1. 2014/02/28 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法(特許第548306号)
2. 2009/08/31 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法(特願2009-200704)
3. 1999/12 アニ―ル法(特願平11-345410)
4. 1997 '非晶質Si層の低温単結晶化法(特願平9-62885)
5. 1997 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法(特願平9-76957)
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