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チン シュンペイ
Chen Chunping 陳 春平 所属 神奈川大学 工学部 電気電子情報工学科 神奈川大学大学院 工学研究科 工学専攻(電気電子情報工学領域) 職種 准教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 2013/06 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | 開放端同軸プローブによるスカラー反射係数に基づいた複素誘電率及び複素透磁率の非破壊同時測定法 |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | 電子情報通信学会論文誌C |
掲載区分 | 国内 |
巻・号・頁 | Vol.J96-C(No.6),131-139頁 |
著者・共著者 | 陳 春平,徐 得名,穴田 哲夫, |
概要 | フランジ付き開放端同軸プローブに基づいた高損失材料の複素誘電率と複素透磁率の同時測定技術は非破壊測定方法の一つとして注目されている.しかし,この方法において,同軸プローブと測定試料との密着が必須であり,試料表面の粗さによるプローブと試料表面の間の非常に小さな空気すき間が存在すると,複素材料定数の測定に大きな影響を与える.本論文では,従来の複素材料定数を同時に測定するための「(ベクトル反射係数に基づいた)膜厚変化法」は誤差の大きい位相特性も必要である不利な点を改善するため,より高いロバスト性をもつ「スカラ反射係数(振幅)に基づいた膜厚変化法」を提案し,検討している.実験とシミュレーションにより,提案した手法の有効性及び妥当性を検証した. |