研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2013/06
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Analysis of depth redistribution of implanted Fe near SiO₂/Si interface.
執筆形態	共著
掲載誌名	Nuclear Instruments and Methods B
掲載区分	国外
巻・号・頁	314,pp.140-143
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	Y. Hoshino*, A. Yokoyama, G. Yachida, J. Nakata