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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2011/03 |
| 形態種別 | その他 |
| 標題 | 単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討：歪みSi層の緩和メカニズム |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | 応用物理学会学術講演会 概要集 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 著者・共著者 | 武樋樹里亜、田邊奨、有馬広記、星野靖、中田穣治、水野智久 |
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