 
|
|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
|
| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2014/12 |
| 形態種別 | その他 |
| 標題 | Formation of SOI structure by ultrahigh-temperature oxygen implantation |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | 第15回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 予稿集 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 著者・共著者 | Y. Hoshino, T. Kamikawa, J. Nakata |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.