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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2015/12 |
| 形態種別 | その他 |
| 標題 | Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantaion in Si(001) substrate |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | 第16回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 予稿集 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 著者・共著者 | Y. Hoshino, G. Yachida, K. Inoue, T. Toyohara, J. Nakata |
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