研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2012/10
形態種別	その他
標題	Analysis of depth redistibution of implanted Fe near SiO2/Si interface
執筆形態	共著
掲載誌名	Abstract for Int. Conf. Highly Swift Ion Beam
掲載区分	国外
著者・共著者	Y. Hoshino, Y. Saito, J. Nakata