 
|
|
|
ミズノ トモヒサ
Mizuno Tomohisa 水野 智久 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2022/02 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Si surface-orientation dependence of SiC-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C+-ion implantation technique |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | J. Appl. Phys. |
| 掲載区分 | 国外 |
| 出版社・発行元 | AIP |
| 巻・号・頁 | (131),pp.074301-1-074301-13 |
| 著者・共著者 | T. Mizuno, T. Aoki, and T. Sameshima |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.