研究者情報 | 神奈川大学

ホリ　ヒサオ Hori Hisao 堀　久男所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（化学領域）職種教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	1992/03
形態種別	その他
標題	TBPを用いたInAlPおよびInGaP成長
執筆形態	共著
掲載誌名	第39回応用物理関係連合講演会（船橋）
著者・共著者	堀　久男、石川博規、真下正夫
概要	MOCVD法によるInAlPおよびInGaP薄膜成長において、リン原料として猛毒のホスフィンの代わりに低毒性のターシャリブチルホスフィン(TBP)を用いた。