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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2017/07 |
| 形態種別 | 大学・研究所等紀要 |
| 標題 | Epitaxial Growth of Si on Hydrogen-Terminated Si(001) Surfaces Induced by Ion Beam irradiation at 300oC |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Science Journal of Kanagawa University |
| 掲載区分 | 国内 |
| 巻・号・頁 | 28(1),pp.1-8 |
| 担当区分 | 筆頭著者,責任著者 |
| 著者・共著者 | Y. Hoshino*, K. Inoue, G. Yachida, J. Nakata |
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