研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2017/10
形態種別	その他
標題	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments
執筆形態	共著
掲載誌名	The 23rd International Conference on Ion Beam Analysis, Abstract
掲載区分	国外
著者・共著者	G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata