研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2019/08
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Remarkable p-type activation of heavily doped diamond accomplished by boron ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low temperatures of 1150 and 1300C.
執筆形態	共著
掲載誌名	Applied Physics Letters
掲載区分	国外
出版社・発行元	AIP
巻・号・頁	115(7),pp.072103/1-5
担当区分	責任著者
著者・共著者	Yuhei Seki, Yasushi Hoshino*, Jyoji Nakata