研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2021/04
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Extremely High-efficient Activation of Acceptor Boron Introduced by Ion Implantation at Room Temperature with Various Doping Concentrations in Epitaxially Synthesized Diamond Films by Chemical Vapor Deposition.
執筆形態	共著
掲載誌名	Journal of Applied Physics (accepted, in press)
掲載区分	国外
出版社・発行元	AIP
巻・号・頁	129,195702/1-10頁
担当区分	責任著者
著者・共著者	Y. Seki, Y. Hoshino*, J. Nakata