研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2022/03
形態種別	大学・研究所等紀要
標題	CURRENT-VOLTAGE PROPERTIES OF SCHOTTKY CONTACT FORMED BY COPPER LAYER DEPOSITED ON ION-IMPLANTED P-TYPE DIAMONDS.
執筆形態	共著
掲載誌名	Proceedings of the 40-th Symposium of ion beam engineering, Hosei University
掲載区分	国内
巻・号・頁	40
担当区分	責任著者
著者・共著者	M. YOSHIHARA, Y. SEKI, Y. HOSHINO*, J. NAKATA