ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発行・発表の年月 2008/10
形態種別 その他
標題 Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing
執筆形態 共著
掲載誌名 Abstract: Ion Beam Analysis France
掲載区分国外
著者・共著者 Y. Hoshino, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin, J.J. Ganem, I. Trimaille, I. Vickridge, A. Pongraz, G. Battistig