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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2007/10 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Growth of SiO2 on SiC by dry thermal oxidation: Mechanisms |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Journal of physics D |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | 40,pp.6254-6253 |
| 国際共著 | 国際共著 |
| 著者・共著者 | I. Vickridge*, J.-J. Ganem, Y. Hoshino, I. Trimaille |
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