 
|
|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2004/09 |
| 形態種別 | その他 |
| 標題 | Surface structure and oxidation mechanism for Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Abstract: European Conference on Silicon Carbide and Related Materials |
| 掲載区分 | 国外 |
| 著者・共著者 | Y. Hoshino, R. Fukuyama, Y. Kido |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.