研究者情報 | 神奈川大学

ホリ　ヒサオ Hori Hisao 堀　久男所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（化学領域）職種教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	1991/12
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of InGaP using tertiarybutylphosphine,
執筆形態	共著
掲載誌名	J. Cryst. Growth
巻・号・頁	114,561-564頁
著者・共著者	Y. Kawakyu, H. Hori, H. Ishikawa, M. Mashita
概要	従来有機金属熱分解法(MOCVD)による薄膜成長では原料として猛毒のホスフィンPH₃が使われてきた。ここではその代替物として低毒性のターシャリブチルホスフィンを用いてLED材料であるInGaPの薄膜成長を行った。