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ホリ ヒサオ
Hori Hisao 堀 久男 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻(化学領域) 職種 教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 1991/08 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | Metalorganic chemical vapor deposition of InAlP using tertiarybutylphosphine |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Jpn. J. Appl. Phys. |
巻・号・頁 | 30,L1343-1344.頁 |
著者・共著者 | H. Hori, Y. Kawakyu, H. Ishikawa, M. Mashita |
概要 | 従来有機金属熱分解法(MOCVD)による薄膜成長では猛毒のホスフィンPH3が使われてきた。ここではその代替物として低毒性のターシャリブチルホスフィンを用いてInAlP薄膜成長を行った。 |