研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2005/08
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Initial growth processes of ultra-thin Ni layers on Si(111) and electronic structure of eitaxially grown NiSi₂
執筆形態	共著
掲載誌名	Surface Science
掲載区分	国外
巻・号・頁	588,pp.71-82
著者・共著者	T. Nishimura, J. Takeda, Y. Asami, Y. Hoshino, Y. Kido*