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ミズノ トモヒサ
Mizuno Tomohisa 水野 智久 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2000 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Design of SiGe/buried oxide layered structure to form highly strained Si layer on insulator for SOI MOSFETs |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Extended Abst. of SSDM (2000). |
| 巻・号・頁 | 474頁 |
| 概要 | N.Sugiyama, T.Mizuno, M.Suzuki, and S.Takagi |
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