ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2004/04
形態種別 学術雑誌
査読 査読あり
標題 Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature
執筆形態 共著
掲載誌名 Physical Review B
掲載区分国外
巻・号・頁 69,pp.155303/1-7
担当区分 筆頭著者
著者・共著者 Y. Hoshino, S. Matsumoto, Y. Kido*