ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2006/05
形態種別 大学・研究所等紀要
標題 Initial Growth Processes of Ultra-thin Ni-Layers on Si(111) and Electronic Structure of Epitaxially Grown NiSi2
執筆形態 共著
掲載誌名 Memoirs of the SR center Ritsumeikan University
掲載区分国内
巻・号・頁 8
著者・共著者 T. Nishimura, J. Takeda, Y. Asami, Y. Hoshino, Y. Kido*