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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2018/06 |
| 形態種別 | その他 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing treatment |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Abstract for 21st INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS |
| 掲載区分 | 国外 |
| 著者・共著者 | G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, and J. Nakata |
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