研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2019/11
形態種別	その他
標題	室温11B+イオン注入及び1150°C, 1300°Cアニール処理によるIIa 型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング.
執筆形態	共著
掲載誌名	第33 回ダイヤモンドシンポジウム予稿集
掲載区分	国内
出版社・発行元	ニューダイヤモンドフォーラム
巻・号・頁	33
著者・共著者	関裕平, 星野靖, 中田穣治
概要	高性能半導体デバイス作製において、イオン注入による不純物ドーピングは必要不可欠な手法であり、ダイヤモンド半導体への応用が望まれている。これまで、いくつかの研究グループがダイヤモンドへのイオン注入による不純物ドーピングにおいて電気特性の変化を報告しており、Bのイオン注入のみ明確にダイヤモンドの格子位置への置換による電気の伝導を得られている。しかし、打ち込んだBの置換率は低く、特に高濃度ドーピングにおいて、その傾向は顕著であった。本研究では、室温でBをイオン注入し、その後比較的低温な1150, 1300°Cでアニールを行いp型ダイヤモンド層の形成し、その電気特性評価を行った。その結果、非常に高いドーピング効率が確認された。