ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2007/10
形態種別 学術雑誌
査読 査読あり
標題 Growth of SiO2 on SiC by dry thermal oxidation: Mechanisms
執筆形態 共著
掲載誌名 Journal of physics D
掲載区分国外
巻・号・頁 40,pp.6254-6253
国際共著 国際共著
著者・共著者 I. Vickridge*, J.-J. Ganem, Y. Hoshino, I. Trimaille