研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2005/12
形態種別	その他
標題	Atomic and Electronic Structures of Ni Deposited on Si(111) at room temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi₂(111)/Si(111)
執筆形態	共著
掲載誌名	Abstract: The 5th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices
掲載区分	国外
著者・共著者	T. Nishimura, J. Takeda, Y. Asami, Y. Hoshino and Y. Kido*