ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2004/09
形態種別 その他
標題 Surface structure and oxidation mechanism for Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface
執筆形態 共著
掲載誌名 Abstract: European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
掲載区分国外
著者・共著者 Y. Hoshino, R. Fukuyama, Y. Kido