ホリ ヒサオ   Hori Hisao
  堀 久男
   所属   神奈川大学  理学部 化学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 1991/12
形態種別 学術雑誌
査読 査読あり
標題 Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of InGaP using tertiarybutylphosphine,
執筆形態 共著
掲載誌名 J. Cryst. Growth
巻・号・頁 114,561-564頁
著者・共著者 Y. Kawakyu, H. Hori, H. Ishikawa, M. Mashita
概要 従来有機金属熱分解法(MOCVD)による薄膜成長では原料として猛毒のホスフィンPH3が使われてきた。ここではその代替物として低毒性のターシャリブチルホスフィンを用いてLED材料であるInGaPの薄膜成長を行った。