ホリ ヒサオ   Hori Hisao
  堀 久男
   所属   神奈川大学  理学部 化学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 1991/08
形態種別 学術雑誌
査読 査読あり
標題 Metalorganic chemical vapor deposition of InAlP using tertiarybutylphosphine
執筆形態 共著
掲載誌名 Jpn. J. Appl. Phys.
巻・号・頁 30,L1343-1344.頁
著者・共著者 H. Hori, Y. Kawakyu, H. Ishikawa, M. Mashita
概要 従来有機金属熱分解法(MOCVD)による薄膜成長では猛毒のホスフィンPH3が使われてきた。ここではその代替物として低毒性のターシャリブチルホスフィンを用いてInAlP薄膜成長を行った。