研究者情報 | 神奈川大学

マツバラ　トシアキ Matsubara Toshiaki 松原　世明所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（化学領域）職種教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2002
形態種別	学術雑誌
標題	Density Functional Study on the Mechanism of the C-X (X=Sn, Ge, Si, C, H) σ bonds Oxidative Addition of HCCR (R=SnH₃, GeH₃, SiH₃, CH₃, H) to the (PH₃)₂M (M=Ni, Pd, Pt) Complexes. Does the Substrate Approach the Metal in a Parallel or Perpendicular Manner?
執筆形態	共著
掲載誌名	Organometallics,
巻・号・頁	21,4482-4489頁
著者・共著者	T. Matsubara* and K. Hirao
概要	HCCR 結合の(PH₃)₂M錯体への酸化的付加の反応機構を、C-X 結合が錯体に対して平行かそれとも垂直に近づくのかという観点から、密度汎関数法(B3LYP)を用い理論的に解析した。通例に反し、極性の高いC-Sn 結合の場合は、垂直に近づき反応が進行することを明らかにした。この新規反応機構には、Pd錯体のアピカルサイトが重要な役割を果たしていることが明らかになった。