ミズノ トモヒサ   Mizuno Tomohisa
  水野 智久
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 2000
形態種別 学術雑誌
査読 査読あり
標題 Design of SiGe/buried oxide layered structure to form highly strained Si layer on insulator for SOI MOSFETs
執筆形態 共著
掲載誌名 Extended Abst. of SSDM (2000).
巻・号・頁 474頁
概要 N.Sugiyama, T.Mizuno, M.Suzuki, and S.Takagi