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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2008/10 |
| 発表テーマ | Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing |
| 発表学会名 | Ion Beam Analysis France |
| 学会区分 | 国際学会 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 発表者・共同発表者 | Y. Hoshino, M. D'Angelo, C. Deville Cavellin, J.J. Ganem, I. Trimaille, I. Vickridge, A. Pongraz, G. Battistig |
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