|
|
ミズノ トモヒサ
Mizuno Tomohisa 水野 智久 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻(物理学領域) 職種 教授 |
|
発表年月日 | 2018/09/12 |
発表テーマ | SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation |
発表学会名 | International Conference on Solid State Devices and Materials |
主催者 | JSAP |
学会区分 | 国際学会 |
発表形式 | 口頭(一般) |
単独共同区分 | 共同 |
開催地名 | Tokyo |
発表者・共同発表者 | T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima |