 
|
|
|
ミズノ トモヒサ
Mizuno Tomohisa 水野 智久 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 教授 |
|
| 発表年月日 | 2019/03/09 |
| 発表テーマ | バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性 |
| 発表学会名 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 |
| 主催者 | 応用物理学会 |
| 学会区分 | 全国学会 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 東京工業大学 |
| 発表者・共同発表者 | 山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久 |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.