研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
発表年月日	2015/12
発表テーマ	Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantation in Si(001) substrates
発表学会名	第16回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会
学会区分	研究会・シンポジウム等
発表形式	口頭（一般）
単独共同区分	共同
開催地名	奈良女子大学
発表者・共同発表者	Y. Hoshino, G. Yachida, K. Inoue, T. Toyohara, J. Nakata