研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
発表年月日	2017/10
発表テーマ	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments
発表学会名	The 23rd International Conference on Ion Beam Analysis
学会区分	国際学会
発表形式	ポスター
単独共同区分	共同
開催地名	Fudan University, Shanghai
発表者・共同発表者	G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata