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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2017/09 |
| 発表テーマ | 清浄表面および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーイオンビーム照射による再結晶化レートと界面水素量依存性 |
| 発表学会名 | 応用物理学会 学術講演会 講演番号：7a-C21-13 |
| 学会区分 | 全国学会 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 福岡国際会議場 |
| 発表者・共同発表者 | 谷地田 剛介，井上 航大, 星野 靖, 中田 穣治 |
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