 
|
|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
|
| 発表年月日 | 2017/12 |
| 発表テーマ | SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成 |
| 発表学会名 | 第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム |
| 主催者 | 法政大学イオンビーム工学研究所 協賛：日本物理学会、応用物理学会 |
| 学会区分 | 研究会・シンポジウム等 |
| 発表形式 | ポスター |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 法政大学 |
| 発表者・共同発表者 | 高田慎之介、星野靖、中田穣治 |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.