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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2019/11/13 |
| 発表テーマ | 室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング |
| 発表学会名 | 第３３回ダイヤモンドシンポジウム |
| 主催者 | ニューダイヤモンドフォーラム |
| 学会区分 | 研究会・シンポジウム等 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 東京工業大学 |
| 発表者・共同発表者 | 関 裕平，星野 靖，中田穣治 |
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