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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2003/10 |
| 発表テーマ | Epitaxial growth of ultrathin Ni-layer on 6H-SiC(0001) surface |
| 発表学会名 | 4th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Material and Devices |
| 学会区分 | 国際学会 |
| 発表形式 | ポスター |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | Hawaii, USA |
| 発表者・共同発表者 | Y. Hoshino, S. Matsumoto, Y. Kido |
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