 
|
|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
|
| 発表年月日 | 2024/09/19 |
| 発表テーマ | 高濃度P+イオン注入によるn型ダイヤモンド半導体形成に向けた研究 |
| 発表学会名 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 |
| 主催者 | 応用物理学会 |
| 学会区分 | 全国学会 |
| 発表形式 | 口頭（一般） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | 朱鷺メッセ |
| 開催期間 | 2024/09/16～2024/09/20 |
| 発表者・共同発表者 | 関 裕平、今村 海哉、星野 靖 |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.