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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2024/12/17 |
| 発表テーマ | Application of Ion Implantation Technique to Boron Impurity Doping into Diamond |
| 発表学会名 | The 34th Annual Meeting of Material Research Society of Japan (international symposium) |
| 学会区分 | 国際学会 |
| 発表形式 | 口頭（招待・特別） |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 招待講演 | 招待講演 |
| 開催期間 | 2024/12/16～2024/12/18 |
| 発表者・共同発表者 | Y. Hoshino and Y. Seki |
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