 
|
|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
|
| 発表年月日 | 2025/09/09 |
| 発表テーマ | イオン注入法により埋め込み電極を形成した水素終端ダイヤモンドMOSFETの試作と特性評価 |
| 発表学会名 | 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会 |
| 学会区分 | 全国学会 |
| 発表形式 | ポスター |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催期間 | 2025/09/07～2025/09/10 |
| 発表者・共同発表者 | 上原 さくら、関 裕平、星野 靖、梅沢 仁、金子 純一 |
Copyright © Kanagawa University. All Rights Reserved.